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圖片信息
2SK3879(TE24L,Q)圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：2SK3879(TE24L,Q)
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
  • 技術標準參數：MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220SM
  • 產品應用分類：單端場效應管
  • 點擊此處下載2SK3879(TE24L,Q)的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • 東芝半導體公司完整型號：2SK3879(TE24L,Q)
  • 制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220SM
  • 系列：-
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6.5A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.7 歐姆 @ 3.5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：35nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1500pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：80W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應商器件封裝：TO-220SM
  • 2SK3879(TE24L,Q)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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